晶圓摻雜物對氧化速率有什么影響？

       用來制造芯片的晶圓都是經(jīng)過摻雜的，另外在以后的工藝中，還要用熱擴(kuò)散或離子注入工藝完成摻雜。那么摻雜元素和濃度對氧化生長速率都有影響。例如，高摻雜濃度的硅表面要比低摻雜濃度的硅表面氧化速率快。而且高摻雜濃度的硅表面上的氧化層比在其他層上生長的氧化層的密度低。
　　另一個對氧化生長速率有影響的是氧化完成后，硅中摻雜原子的分布。我們知道氧化時O2原子進(jìn)入Si中與Si原子發(fā)生反應(yīng)生成SiO2，問題是“在硅轉(zhuǎn)化成二氧化硅的同時，摻雜原子發(fā)生了什么？”，答案取決于摻雜物的導(dǎo)電類型。N型摻雜物（P、As、Sb）他們在硅中比在二氧化硅中有更高的溶解度。當(dāng)氧化層碰到它們時，這些雜質(zhì)將進(jìn)入硅中，在硅與二氧化硅之間，就象鏟雪機(jī)推一個大雪堆一樣，結(jié)果是，N型摻雜物在硅與二氧化硅之間比在晶體里有更高的密度（稱之為二氧化硅的排磷作用）。
　　當(dāng)摻雜物是P型材料的硼(B)元素時，就會產(chǎn)生相反的結(jié)果。即硼原子被拉入二氧化硅層，導(dǎo)致在SiO2與Si交界處的硅原子被B 原子消耗盡（稱之為二氧化硅的吸硼作用）。